A Micron apresentou seus dispositivos DDR5 de 16 Gb feitos em seu novo processo de fabricação 1γ (1-gama) que usa litografia EUV , uma novidade para a Micron, revelou, nesta segunda-feira 25 de março. O novo IC não só oferece desempenho superior ao seu antecessor, mas também consome menos energia e está prestes a ser mais barato de fabricar. A empresa também disse que sua tecnologia de fabricação 1γ (nó de classe 10 nm de 6ª geração) será eventualmente adotada para outros produtos DRAM.
DDR5 a 9200 MT/s
O principal produto 1γ da Micron é o IC DDR5 de 16 Gb (2 GB) da empresa, que é classificado para uma taxa de transferência de dados de 9200 MT/s a uma voltagem padrão da indústria de 1,1 V. Comparado ao seu antecessor — um IC DDR5 de 16 Gb feito no processo de fabricação 1β — o novo dispositivo consome 20% menos energia e apresenta uma densidade de bits 30% maior, o que pode se traduzir em uma redução comparável no custo de produção quando os novos chips atingirem rendimentos comparáveis aos dos dispositivos DRAM 1β de 16 Gb.
(Crédito da imagem: Micron)
Embora a Micron classifique seus últimos ICs DDR5 de 16 Gb em 9200 MT/s, esse intervalo de velocidade é significativamente maior do que qualquer coisa na última edição da especificação DDR5. A empresa enfatiza que o chip pode rodar em graus de velocidade compatíveis com JEDEC muito bem, e o intervalo de velocidade mais alto permitirá alguma proteção futura e compatibilidade com CPUs de próxima geração. A Micron também sugere que CUDIMMs ou módulos de memória baseados em CXL podem alavancar velocidades maiores do que JEDEC. DIMMs para entusiastas provavelmente também adotarão as novas DRAMs para seus módulos pós-10.000 MT/s.
A Micron está atualmente testando seus ICs DDR5 de 16 Gb feitos com tecnologia 1γ e produtos em sua base (ou seja, chips e módulos) com fabricantes de laptops e servidores e espera que suas qualificações sejam concluídas em um ou dois trimestres. Isso significa que devemos ver os dispositivos de memória mais recentes da Micron em produtos de varejo a partir de meados de 2025. A empresa espera que todos os tipos de módulos de memória — para desktops, laptops e servidores — adotem seus novos chips de memória.
Considerando o fato de que as DRAMs baseadas em 1γ da Micron oferecem uma combinação de qualidades valiosas para todos os segmentos de mercado — desempenho aprimorado para desktops, bem como menor consumo de energia para notebooks e servidores — nós realmente esperamos que os mais recentes ICs DDR5 de 16 Gb da empresa se tornem bastante populares quando chegarem ao mercado.
(Crédito da imagem: Micron)
Com o tempo, a Micron usará sua tecnologia de fabricação 1γ para fabricar outros tipos de produtos de memória, incluindo GDDR7, LPDDR5X (de até 9600 MT/s) e produtos de nível de data center, de modo que o nó se tornará um instrumento de trabalho para a empresa.
Tecnologia de fabricação 1γ
O processo de fabricação 1γ da Micron é a primeira tecnologia da empresa a adotar litografia ultravioleta extrema (EUV), algo que outros fabricantes líderes de memória adotaram anos atrás. Demorou um pouco para chegar e parece oferecer benefícios significativos em relação às linhas de produtos existentes.
(Crédito da imagem: Micron)
A Micron não revelou quantas camadas EUV o novo nó de produção usa, mas podemos especular que a empresa usa EUV para camadas críticas que, de outra forma, exigiriam o uso de multipadrões, o que aumenta os ciclos de produção e pode afetar os rendimentos. A Micron diz que 1γ usa EUV em conjunto com técnicas DUV de multipadrões. Além disso, a tecnologia de processo DRAM 1γ da Micron adota a tecnologia de porta metálica de alto K de última geração e um circuito de back-end-of-line (BEOL) totalmente novo.
"Além da adoção de EUV em 1γ, introduzimos nosso CMOS de porta metálica de alto K de última geração e processos avançados de back-end-of-line, que juntos permitem 9200 MT/s [taxa de transferência de dados], uma melhoria de desempenho de 15% em relação à DRAM 1β […] enquanto reduz a energia em cerca de 20% em relação à 1β", disse Shigeru Shiratake, vice-presidente sênior de Desenvolvimento de Tecnologia DRAM da Micron.
Por enquanto, a Micron produz suas DRAMs 1γ em suas fábricas no Japão, onde a primeira ferramenta EUV da empresa foi instalada em 2024. À medida que a empresa aumenta a produção de memória 1γ, ela adicionará mais sistemas EUV às suas fábricas no Japão e em Taiwan.
Fonte: tomshardware
