A fabricante de memórias SK Hynix anunciou o primeiro flash NAND UFS 4.1 TLC de 321 camadas do mundo para smartphones. É mais rápido, mais eficiente e mais fino para inicializar – perfeito para a próxima geração de celulares que se concentrará em estruturas mais finas e ferramentas de IA, afirma a empresa.
Em comparação com a geração anterior (que usava um design de 238 camadas) de 2022, esses novos chips de armazenamento têm velocidades de leitura aleatória 15% maiores e de gravação aleatória 40% maiores. Para leituras sequenciais, eles atingem a velocidade máxima da interface em 4,3 GB/s.
Além disso, o pacote NAND tem 0,85 mm de espessura, em vez de 1 mm. Não parece muito, mas qualquer detalhe ajuda se celulares como o Galaxy S25 Edge se tornarem populares.
Deixando de lado as tendências recentes, o novo design UFS 4.1 de 321 camadas é 7% mais eficiente em termos de energia do que a geração anterior – menos calor e mais desempenho estão sempre em alta.
SK Hynix revela UFS 4.1 de 321 camadas que é mais rápido, mais fino e mais eficiente do que a geração anterior
A SK hynix diz que a velocidade de leitura sequencial melhorará o desempenho da IA no dispositivo (já que acelerará o carregamento do modelo na RAM), enquanto o desempenho aleatório aprimorado impulsionará a multitarefa.
A empresa produzirá armazenamento em duas capacidades: 512 GB e 1 TB. É isso mesmo, não haverá uma versão de 256 GB, então isso será algo a se considerar ao escolher seu próximo telefone (assim como os modelos de 128 GB usam UFS 3.1 agora).
Mas isso é um problema para o ano que vem – a SK Hynix diz que espera receber pedidos de fabricantes de smartphones este ano e começar a fazer entregas em grande volume nos primeiros três meses do ano que vem.
Mas não se trata apenas de smartphones. A empresa também está trabalhando em designs de 321 camadas para SSDs para consumidores e data centers.
Fonte: gsmarena
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